用以製備電容式矽微麥克風之晶片的無切割製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095104554

專利證號

I 285509

專利獲證名稱

用以製備電容式矽微麥克風之晶片的無切割製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2007/08/11

技術說明

本發明是用以製備電容式矽微麥克風之晶片的無切割製程，先在基材上依序形成具有多數穿孔的複數第一電極膜、複數 犧牲板塊、複數振膜與複數第二電極膜，接著在基材底面對應該複數第一電極膜形成多數遮覆圖像，每一遮圖像具有對 應於複數穿孔的穿孔，及將第一電極膜圈限的蝕刻道，然後自遮覆圖像的穿孔向內蝕刻移除基材對應於穿孔的區域，及 犧牲板塊的中央區域，同時自蝕刻道向內蝕刻移除基材對應於蝕刻道的區域，最後，將每一遮覆圖像移除，即製得複數 相分離的電容式矽微麥克風的晶片。 NO

備註

本部(收文號1050025911)同意該校105年4月12日興產字1054300245號函申請終止維護專利

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