金屬氧化物薄膜之製作方法及依其所製作之元件結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101103643

專利證號

I 485285

專利獲證名稱

金屬氧化物薄膜之製作方法及依其所製作之元件結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺東大學

獲證日期

2015/05/21

技術說明

我們提出使用簡易的溶膠凝膠合成法製作二維金屬氧化物薄膜，再延伸其應用以水熱法製作三維奈米結構陣列，製程設備包含旋轉塗佈機及烤箱，無論是二維或者三維薄膜的製作都不會造成製作成本明顯增加。薄膜厚度可由塗佈機轉速及時間控制。將金屬氧化物塗佈於電子及光電元件表面，可提供抗反射及抗電磁波作用，提升元件效率並延長使用壽命；另外對於三維奈米圖案陣列亦可以水熱法中之溶液濃度與成長時間、溫度控制奈米圖案之形貌，並由實驗結果證明，使用溶膠凝膠合成法製作之金屬氧化物薄膜品質並不亞於使用蒸鍍或濺鍍法獲得之薄膜，且確實可以抵擋高能載子轟擊所造成的傷害，而且無論二維金屬薄膜或是三維的奈米圖案陣列，皆有著抗反射之能力，利用此發明揭露之方法，確實可以具有保護元件與提高元件效能之雙功能性。 A simple sol-gel synthesis for metal oxide thin films was proposed. The essential equipment for 2-D or 3-D thin film fabrication included a spin coater and an oven. Both of them were cheap equipment, therefore the fabrication cost would not be significantly increased. The thickness of thin films can be controlled by the spin speed and time. Once the electronic or optoelectronic devices were coated by the metal oxide thin films, the performance and reliability of devices can be improved by surface passivation and anti-radiation provided by the thin film. The experimental results exhibited that the quality of chemically-synthesized metal oxide thin films can be as good as those obtained by evaporation or sputtering.

備註

依112.08.07.本會112年第2次研發成果管理審查會決議辦理 本會(收文號1120016730)同意該校112年3月22日來函1121002115號申請終止維護專利(國立台東大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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