抗反射層的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099100543

專利證號

I 420135

專利獲證名稱

抗反射層的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣海洋大學

獲證日期

2013/12/21

技術說明

太陽能是一種具有永不耗盡且無污染的能源，因此在解決目前石化能源所面臨的污染與短缺的問題時，一直是最受矚目的焦點。 由於太陽能電池(solar cell)可直接將太陽能轉換為電能，因此已成為目前相當重要的研究課題。一般來說，在太陽能電池中通常具有一層抗反射層，其材料為矽。此抗反射層主要是用於將入射光的反射率降低，以提高光線進入太陽能電池的入射量，進而提高元件效能。 目前在製造抗反射層時，通常會利用蝕刻製程來蝕刻矽基板，藉由增加矽基板的表面粗糙度與不平整性的方式來形成鈍化表面，以降低反射率。然而，此方式並無法精確地控制鈍化表面的週期性與陣列性，因而無法有效地提高抗反射效果，且無法將入射光作進一步地利用。 一種抗反射層的製造方法，其是先提供基板。然後，於基板上形成球狀微粒陣列。接著，以球狀微粒陣列為罩幕，進行第一蝕刻製程，以於基板中形成多個凹槽。而後，於球狀微粒陣列上與凹槽中形成材料層。繼之，移除球狀微粒陣列以及位於球狀微粒陣列上的材料層。在移除球狀微粒陣列以及位於球狀微粒陣列上的材料層之後，進行第二蝕刻製程。 A method for manufacturing an anti-reflection layer is provided. A substrate is provided. A spherical particle array is formed on the substrate. A first etching process is performed using the spherical particle array as a mask to form a plurality of recesses in the substrate. A material is formed on the spherical particle array and in the recesses. The spherical particle array and the material layer on the spherical particle array are removed. After removing the spherical particle array and the material layer on the spherical particle array, a second etching process is performed.

備註

本部(收文號1090062445)同意該校109年10月13日海產字第1090019761號函申請終止維護專利(國立臺灣海洋大學)

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