二極體元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201010610280.X

專利證號

1281353

專利獲證名稱

二極體元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/10/02

技術說明

本發明提出一新穎的薄膜氧化物二極體結構與製備方法，與現有薄膜二極體技術相比，具備低成本、低溫製程，優異的整流特性與高順向電流等優勢，將能應用於未來的電阻式記憶體、高速電子、三維堆疊IC及可繞曲電子產品上。薄膜氧化物二極體由上下金屬電極與中間的氧化物夾層所構成，與以往傳統的氧化物二極體不同的，本發明於中間氧化物夾層中形成局部的電流傳輸通路，並利用這些局部路徑改善二極體的整流與順向電流密度等特性。此局部電流傳輸通路可以利用施加電壓或電流應力的方式形成，亦可以配合其他製程調變的方式來達成。 We propose a novel device structure and fabrication method for thin-film oxide diodes. The proposed method has advantages on high manufacturability, low cost, and low process temperature, high forward current and high on-off rectification ratio, suitable for 1D1R cross-point memory, high-speed electronics, 3D stacking IC and flexible electronics applications. The diode structure comprises an oxide layer or multiple oxide layers sandwiched between top and bottom metal electrodes. In the current invention, localized conduction filaments are formed across the oxide layer(s) to facilitate very high forward current not possible in the diode without the filaments. One preferred embodiment utilizes electrical stress after depositing the oxide layer to activate the local filaments. Moreover, the local filaments may be formed by adjusting the process conditions of the oxide deposition and the post-deposition annealing.

備註

本部(收文號1090020336)同意該校109年4月6日交大研產學字第1091002952號函申請終止維護專利(交大)

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