發光二極體及其製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097147277

專利證號

I 408831

專利獲證名稱

發光二極體及其製程

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2013/09/11

技術說明

發光二極體(LED)較傳統的冷陰極管背光系統，具備高顏色純度及高亮度。 這樣的光源特性表現，將可提升背光元件的色彩表現性。再者發光二極體LED 之低耗電量特性，更使其在各式手攜式電子產品如：個人數位助理(PDA)及掌上 型投影機的應用上均有十分突出的表現。雖然發光二極體已具備上述之優點，然 而以身為背光投影或者運用到光纖通訊的光源而言，LED 本身的光源特性尚有其 改善空間，這也是本計畫所欲著力之處。 現行LED 裸晶之配光曲線為朗勃遜光，這樣的光源特性會導致發光能量散角 過大而不利於後端應用；目前的作法多是利用後段封裝來加以改變光型，而本計 畫則提出從製程中直接改善的手法，主要是利用熱壓印製程與LED 晶片製程的相 結合，透過這樣製程所產生的奈微米結構來達到調整LED 配光曲線的效果。本計 畫在執行期間，將會運用傳統的黃光微影以及電子束微影、雷射干涉技術來進行 各種奈微米結構的圖形定義。並將此結構轉錄至矽及藍寶石基板上以作為模具， 然後透過模具壓印再配合乾及濕式蝕刻將所設計之結構，以二元或灰階的形式複 製到LED 的透明導電薄膜上。最後再針對這樣的LED 晶片進行光特性及電特性的 量測，以期解決LED 裸晶光源散角過大的問題。 One object of the present invention is to provide a light emitting diode so as to achieve industrial demands and improve above issues caused by conventional LEDs

備註

本部(收文號1070018160)備查該校107年3月12日原產字第1070000738號函申請終止維護專利(中原)

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