利用自動對準低溫淺接面製造具有極低臨界電壓金屬閘極／ 高介電常數材質之互補金氧半場效電晶體之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097116760

專利證號

I 483345

專利獲證名稱

利用自動對準低溫淺接面製造具有極低臨界電壓金屬閘極／ 高介電常數材質之互補金氧半場效電晶體之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/05/01

技術說明

本發明提出一種利用新穎的自動對準低溫超淺接面製造具有極低臨界電壓（ V t ）金屬閘極／ 高介電常數( κ ) 材質之互補金氧半場效電晶體(CMOSFETs ) 之方法， 其中該方法係採用與超大型積體電路（ V L S I ）相容之前閘極製程。當等效氧化層厚度（ EOT） 為1 . 2 奈米時， p 型及n 型金氧半導體( M O S ) 分別測得5 . 3 及4 . 1 e V 之良好有效功函數、+ 0 . 0 5 及0 . 0 3 V 之低臨界電壓、9 0 及243cm2 / V s 之高遷移率以及在8 5 o C 下小於3 2 m V 之低偏壓溫度不穩定性( 1 0 M V / c m ， 1 h r ) 。 This invention proposes a method for making very low threshold voltage (Vt) metal-gate/high- CMOSFETs using novel self-aligned low-temperature ultra shallow junctions with gate-first process compatible with VLSI. At 1.2 nm equivalent-oxide thickness (EOT), good effective work-function of 5.3 and 4.1 eV, low Vt of +0.05 and 0.03 V, high mobility of 90 and 243 cm2/Vs, and small 85oC bias-temperature-instability <32 mV (10 MV/cm, 1 hr) are measured for p- and n-MOS.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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