矽基鐵電型記憶體材料及其製造方法Ferroelectric Memory Device

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101141888

專利證號

I 493694

專利獲證名稱

矽基鐵電型記憶體材料及其製造方法Ferroelectric Memory Device

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2015/07/21

技術說明

矽基鐵電型記憶體材料及其製造方法，材料包含：具有複數個奈米孔洞之二氧化矽薄膜以及形成於該等奈米孔洞內壁上之原子級介面極性轉化結構。方法包含：提供基板；將多孔隙二氧化矽材料先導溶液加入硝酸金屬溶液而完成旋轉塗佈材料；將該旋轉塗佈材料旋轉塗佈於該基板上並進行烘烤，用以完成具有金屬離子摻雜之奈米孔洞薄膜；以及使用脈衝感應耦合電漿化學氣相沈積技術對該具有金屬離子摻雜之奈米孔洞薄膜進行介面改質，而於該具有金屬離子摻雜之奈米孔洞薄膜內形成原子級介面極性轉化結構，並可採用此材料製作具高性能之矽基鐵電型記憶體。 A ferroelectric memory device includes a memory layer, made of a silicon-based ferroelectric memory material. The silicon-based ferroelectric memory material includes a mesoporous silica film with nanopores and atomic polar structures on inner walls of the nanopores. The atomic polar structures are formed by asymmetrically bonding metal ions to silicon-oxygen atoms on the inner walls, and the silicon-based ferroelectric memory material includes semiconductor quantum dots, metal quantum dots and metal-semiconductor alloy quantum dots.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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