分離式延伸型閘極場效電晶體之維生素C感測器與其形成方式SEPARATIVE EXTENDED GATE FILED EFFECT TRANSISTOR BASED VITAMIN C SENSOR AND FORMING METHOD THEROF | 專利查詢

分離式延伸型閘極場效電晶體之維生素C感測器與其形成方式SEPARATIVE EXTENDED GATE FILED EFFECT TRANSISTOR BASED VITAMIN C SENSOR AND FORMING METHOD THEROF


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/344427

專利證號

US 7,598,546 B1

專利獲證名稱

分離式延伸型閘極場效電晶體之維生素C感測器與其形成方式SEPARATIVE EXTENDED GATE FILED EFFECT TRANSISTOR BASED VITAMIN C SENSOR AND FORMING METHOD THEROF

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2009/10/06

技術說明

一種分離式延伸型閘極場效電晶體之維生素C感測器,包括:一基板;一圖案化導電層位於該基板上,該圖案化導電層包括:一第一電極區陣列、至少兩個第一接點區、一第二電極區以及一第二接點區;一碳膠層於該第一電極區陣列上;一二氧化釕感測層於該碳膠層上,且電性連接至該至少兩個第一接點區;一維生素C酵素層於該二氧化釕感測層上,其中該維生素C酵素層包括維生素C氧化酶;以及一參考電極於該第二電極區上,且電性連接至該第二接點區。 A separative extended gate field effect transistor based vitamin C sensor comprises: a substrate; a patterned conductive layer on the substrate, comprising a first electrode region array; at least two first contact regions; a second electrode region; and a second contact region; a carbon gel layer on the first electrode region array; a ruthenium dioxide sensing layer on the carbon gel layer and electrically connected to the first contact region; a vitamin C enzyme layer on the ruthenium dioxide sensing layer; and a reference electrode on the second electrode region electrically connected to the second contact region.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521


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