發光二極體結構及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091122799

專利證號

190798

專利獲證名稱

發光二極體結構及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2003/03/12

技術說明

本發明係關於一種發光二極體結構及其製法,主要是利用溼氧化法(wet oxidation)技術,將發 光二極體結構中的布拉格反射器(Distributed Bragg Reflectors,簡稱 DBR)氧化,藉以限制發 光二極體中的電流傳導,進而將電流限制於某一個特定範圍,讓發光二極體 的發光區域集中,再 透過正面電極位置以及形狀的設計,使得射出晶粒的光不正面電極所阻擋, 進而使得發光二極 體的亮度得以提昇,且所投射出的光線更具有良好的聚光效果.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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