製造多顆氧化矽顆粒之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109116359

專利證號

I 737303

專利獲證名稱

製造多顆氧化矽顆粒之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2021/08/21

技術說明

全球太陽能產業每年超過100 GW的產量，其中矽晶太陽能超過九成以上，使用超過三四十噸的高純度矽，而有三分之一，至少十噸是以切割矽損失(Kerf-loss)的型態丟棄。即是是半導體產業，每年使用約3到4萬噸的矽，其中切割矽損加上晶圓薄化損失，就超過2噸。因此，如何有效回收這大小約在一微米左右的高純度矽，是永續產業與循環經濟得重視的課題。在這個產學合作計畫，我們將發展幾個重要的程序，可以相當綠色、簡單地把這些回收矽拿來做利用，我們著重在開發製造奈米多孔矽、奈米矽、矽化鎂的製程技術，這些材料在鋰電池負極材料與中溫熱電材料，都有重要的應用。 The photovoltaic market has been over than 100 GW annually, and the use of silicon has been over 300,000 tons per year. The kerf-loss silicon after diamond wire sawing, being about 100,000 tons were through as way in the form of slurry wastes. Even in semiconductor industry, the kerf-loss and grinding-loss were over 20,000 tons per year. Therefore, how to recycle and reuse the kerf-loss silicon has become an important issue in the circulatory economy. In this joint project with the leading company in Taiwan, we aim to recycle the kerf-loss or grinding-loss silicon to make porous silicon (p-Si), magnesium silicide, and nano silicon (nano-Si). These materials are useful for the anode in the lithium ion batteries and mid-temperature thermoelectric devices.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址