低介電常數薄膜之電漿表面鈍化改質處理方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092113050

專利證號

I240967

專利獲證名稱

低介電常數薄膜之電漿表面鈍化改質處理方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2005/10/01

技術說明

一種低介電常數薄膜之電漿表面鈍化改質處理方法,係在對矽氧低介電常數(k)薄膜進行表面 鈍化改質處理,其方式是將此薄膜試片至於反應腔體後,導入N2/H2混合氣體,並利用射頻供應 器來產生離子化電漿,以此N2/H2混合電漿對低K薄膜試片降型電漿表面鈍化改質處理;經最佳 化條件之改質處理後,薄膜試片表面可形成Si-C-N與Si-N混合鍵結頓化層;該表面鈍化層可防 止後續之高氧化或還原性電漿(如O2與H2等)製程(及退火處理)對低K薄膜之低偏及化學鍵結 (甲基,Si-H)與介電常數(及絕緣性)所產生之破損傷害,並藉此達到保護與強化低K薄膜之功 效;該鈍化層亦可充當擴散阻礙層,緩和銅對低K薄膜的熱擴散現象,可避免使用高介電特徵的 介電材料或高電阻率之金屬性擴散阻礙材料,致使積體電路元件之內連接導線的整體電阻-電 容(R-C)延遲時間增加而降低元件運算效能。

備註

本部(收文號1070041206)同意該校107年6月20逢產字第1070016142號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址