發明
中華民國
101123092
I 438032
光觸媒、此光觸媒的製造方法及用途
逢甲大學
2014/05/21
本發明提供一種光觸媒,包含:一粉體或薄膜,包含硫化鋅鎘固溶液化合物半導體(Zn1–xCdxS)、第VIA族金屬化合物半導體(MyXz)與貴金屬(A),以形成A/MyXz/Zn1-xCdxS複合式光觸媒。本發明更提供一種光觸媒之製造方法,包含:將含鋅溶液、含鎘溶液與含硫溶液分別加入於ㄧ界面活性劑溶液中;混合該含鋅溶液、該含鎘溶液、該含硫溶液與該界面活性劑溶液,進行反應;然後進行一第一熱處理步驟,以形成Zn1–xCdxS粉體或薄膜;將形成之該Zn1–xCdxS粉體或薄膜加入含硫溶液與含金屬(M)鹽溶液,並進行反應及一第二熱處理步驟,以形成MySz/Zn1–xCdxS粉體或薄膜;以及將形成之該MySz/Zn1–xCdxS粉體或薄膜加入含貴金屬(A)溶液,並進行還原反應及一第三熱處理步驟,以形成複合式A/MySz/Zn1–xCdxS粉體或薄膜。 The present invention provides a photocatalyst and a method for manufacturing the same. Said photocatlyst was consisting of the composite form of A/MyXz/Zn1-xCdxS. The said method includes adding a containing-zinc solution, a containing-cadmium solution, a containing-sulfur solution into a surfactant solution. The following step is mixing the above solution. The next step is performing a thermal treatment to form a Zn1-xCdxS powder. The Zn1–xCdxS powder is added into a metal-containing solution. MySz/Zn1–xCdxS powder is then added into a noble metal(A)-containing solution to form a composite A/MySz/Zn1–xCdxS power or thin film.
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