複晶矽薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101103984

專利證號

I 517450

專利獲證名稱

複晶矽薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2016/01/11

技術說明

本發明係提供一種薄膜電晶體結構，其包含一第一通道層、一第一閘極介電層、一閘極層、一第二閘極介電層、一第二通道層以及一源/汲極區域。第一閘極介電層，形成於至少部份第一通道層上方。閘極層，形成於至少部份第一閘極介電層上方。第二閘極介電層，形成於至少部份閘極層上方。第二通道層，形成於至少部份第二閘極介電層上方。源/汲極區域，鄰接於第一通道層、第一閘極介電層、第二閘極介電層以及第二通道層，並摻雜有離子。藉此，薄膜電晶體結構不僅能有效增加開電流，並能有效改善漏電流、熱載子效應、以及扭結效應等功效。 The present invention provides a thin film transistor structure comprising a first channel layer, a first gate dielectric layer, a gate layer, a second gate dielectric layer, a second channel layer, and a source / Drain area. A first gate dielectric layer formed over at least a portion of the first channel layer. A gate layer formed over at least a portion of the first gate dielectric layer. And a second gate dielectric layer formed over at least a portion of the gate layer. And a second channel layer formed over at least a portion of the second gate dielectric layer. Source / drain region, adjacent to the first channel layer, the first gate dielectric layer, the second gate dielectric layer, and the second channel layer, and doped with ions. In this way, the thin film transistor structure can not only effectively increase the open current, and can effectively improve the leakage current, hot carrier effect, and kink effect and other effects.

備註

本部(收文號1080077036)同意該校108年11月26日逢產字第1080011106號函所報專利終止維護案。

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