气体传感器的结构

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201811057854.8

專利證號

CN 110,887,873 B

專利獲證名稱

气体传感器的结构

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2022/08/09

技術說明

本發明係為型氣體偵測器之結構，包含：氣體偵測器晶片，其感測材料背部為一中空結構，感測材料下有一絕緣層，感測材料周圍有一微型加熱器，感測材料附著在感測電極上，感測層材料為一金屬氧化物半導體和糙化碳酸鑭氣體感測層的複合結構；一金屬氧化物半導體厚度0.1~2m，糙化碳酸鑭氣體感測層厚度0.5~4m,，背蝕刻孔大小1*1mm；經由本發明創作之氣體偵測器結構，提供矽基板上完成懸浮氣體感測結構，並能將晶片的尺寸做到最小化。Structure type gas detection device of the present invention system, comprising: a gas detector chip, which senses the material back into a hollow structure, the sensing material under an insulating layer surrounding the sensing material has a micro heater, sensing material attached to the sensing electrode, the sensing layer material is a metal oxide semiconductor and composite structures lanthanum carbonate roughening gas sensing layer; and a metal oxide semiconductor thickness 0.1 ~ 2m, lanthanum carbonate roughening gas sensing layer thickness 0.5 ~ 4m ,, back etched hole size  1 * 1mm; via a gas detector structure creation of the present invention, there is provided the silicon substrate to complete the suspended gas-sensing structure, and can be done to minimize the size of the wafer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址