提高晶圓曝光效率的方法Method For Enhancing Wafer Exposure Effectiveness and Efficiency

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/860,572

專利證號

US 8,407,631 B2

專利獲證名稱

提高晶圓曝光效率的方法Method For Enhancing Wafer Exposure Effectiveness and Efficiency

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/03/26

技術說明

本專利技術乃與提升晶圓曝光效益與效率相關，本技術將應用資料挖礦技術以預測不同晶圓尺寸與比例下之晶圓曝光效益與效率。包括提出光罩區域利用率加權整體晶圓效益(MOWE)指標以作為衡量晶圓曝光效益與效率之依據，所建構晶片尺寸與MOWE之關係模式將可提供IC設計者在設計階段時，在不影響產品功能設計下，最佳晶圓曝光效益與效率之晶粒尺寸與比例，所提出之技術將可有效減少單位晶圓上所需曝光照射次數，同時增加單位晶圓上之曝光晶粒數，達到降低成本，提升公司競爭力。 The present invention applies the data mining methodology by which the wafer exposure effectiveness and efficiency are predictable in terms of the chip size, chip length and chip width. More specifically, in the present invention, an index, named “Mask-field-utilization Weighted Overall Wafer Effectiveness” (MOWE), integrates the two parameters of “Overall Wafer Effectiveness” (OWE) and “Mask-field-utilization” (MFU), mainly regarding the wafer exposure effectiveness and efficiency respectively, in order to construct a model tree of the MOWE to achieve the data mining. By the MOWE model tree, the causal relationship between design independent variables and fabrication dependent variables is constructed, which can be accordingly applied as design guidelines in the design phase to improve the chip layout in order to produce a better wafer exposure effectiveness and efficiency.

備註

本部(收文號1110008609)同意該校111年2月15日清智財字第1119000986號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址