一種提高P型氮化物發光二極體亮度的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095134904

專利證號

I 341037

專利獲證名稱

一種提高P型氮化物發光二極體亮度的方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2011/04/21

技術說明

本發明首先提供一P型氮化　半導體層；選擇性（Selective）分別蒸鍍不同厚度 與覆蓋範圍的鈦金屬於P型氮化鎵半導體基底；接著再放入爐管，在氮氣環境中， 以相當高溫進行活化（Activation）程序，控制於一定時間下；在活化程序完成 後，將鈦金屬移除，可以選擇性改變載子濃度，以達到提高P型氮化物發光二極體 亮度的目的。

備註

本部(收文號1050020312)同意該校105年3月21日長庚大字第1050030322號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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