具源極/本體單一接點及側邊環繞閘極之垂直式金氧半場效電晶體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095129009

專利證號

I 313061

專利獲證名稱

具源極/本體單一接點及側邊環繞閘極之垂直式金氧半場效電晶體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/08/01

技術說明

首次提出利用單一接點但卻同時具有源極與本體接點的垂直式電晶體，利用此裝置配合上現有 矽覆絕緣(SOI)基版，可以藉由單一接點處將散熱問題以及離子衝擊化產生的電洞有效排除； 除此之外又能同時擁有SOI基版大為減少PN接面與降低漏電流的主要特性，並且由垂直式的架 構當中獲得諸多優點，不必局限於過去須由光罩(feature size)定義閘極與通道；可直接自我 對準(self-aligned)周圍環繞的側邊閘極；並且可藉由垂直式的高度來隨心所欲的調整所需通 道的長度，同時以上述擁有的單一接點來克服所可能產生的屈膝效應Kink effect或稱本體浮 接效應；以及自我加熱效應。

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意(收創文號1030031427)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址