導電薄膜的製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100106318

專利證號

I 500050

專利獲證名稱

導電薄膜的製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/09/11

技術說明

透明導電薄膜得現今在許多應用上被需要，舉例來說: 太陽能電池、表面聲波元件、壓電材料元件、氣體偵測器、液晶顯示器等；透明導電薄膜現今以銦錫氧化物為大宗，但仍有毒性，銦的稀少性，以及在氫電漿製程不穩定，造成其成本比其他材料高上許多；氧化鋅薄膜結構，擁有材料得易取得、低成本、無毒、在氫氣電漿環境下具穩定性因此極有潛力取代銦錫氧化物。 另外，習知技術以蒸鍍或濺鍍方法製作導電薄膜，具有設備成本高、難以大面積製作等缺點。 因此，我們提出一種新的透明導電薄膜與其製造方法，可大面積製作以及降低毒性、且也可降低製造成本。 An embodiment of this invention provides a method to produce a conductive thin film, which comprises: providing a substrate; forming a first metal oxide layer on the substrate; forming an indium-free metal layer on the first metal oxide layer; and forming a second metal oxide layer on the indium-free layer, Wherein the first metal oxide layer, the indium-free metal layer, and the second oxide layer are all solution processed.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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