兩性阻劑微影製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091012

專利證號

195213

專利獲證名稱

兩性阻劑微影製程

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2004/02/01

技術說明

本發明揭示一兩性阻劑微影製程，用於一兩性阻劑層中製作正型及負型的圖案。利用控制兩 性阻劑層中各區域不同的電子束曝光劑量使其分別具有正型及負型阻劑的特性，而可使正型 及負型阻劑的型態同時存在於該兩性阻劑層中。其中，該正型阻劑之曝光劑量必須介於正型 阻劑及負型阻劑的門檻劑量之間，而負型阻劑之曝光劑量必須大於負型阻劑的門檻劑量。 A zwitterresist lithography is employed for positive resist and negative resist processes. The positive and the negative resists can simultaneously exist in the zwitterresist by exposing different doses of electron beams at different areas of the zwitterresist. The exposure doses of the positive resist is applied between the threshold values of the exposure doses of the negative resist is large than the threshould value of the negative resist.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址