薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096117222

專利證號

I 349966

專利獲證名稱

薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2011/10/01

技術說明

薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法 Method for passivating the poly-Si layer of the thin film transistor

備註

本部(收文號1030050277)同意該校103年7月9日1030002735號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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