物理密鑰系統及物理密鑰的形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110111771

專利證號

I 794778

專利獲證名稱

物理密鑰系統及物理密鑰的形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2023/03/01

技術說明

本發明為藉由互補式陣列結構電阻式記憶體應用於物理不可複製密鑰的產生，其元件結構為電極阻隔層、電極、電阻層、中間金屬層、電阻層、電極。藉由電阻式記憶體隨機性的導電阻絲傳導及陣列式結構高密度記憶單元的特性產生高安全性密鑰，透過互補式結構改善陣列式結構中潛行電流造成讀取錯誤的疑慮並簡化元件結構降低製作成本。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址