半導體發光元件及其製造方法SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/265,360

專利證號

US 9,478,701 B2

專利獲證名稱

半導體發光元件及其製造方法SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2016/10/25

技術說明

利用奈米壓印微影及有機金屬氣相沉積脈衝生長模式，我們可以製作帶有側壁殼核氮化銦鎵/氮化鎵量子井的規則排列奈米柱發光二極體陣列。在脈衝生長模式中，若我們把五族源供應時間變化，奈米柱的截面積可以逐步縮小來生長另一節均勻截面的奈米柱。基於此種生長技術，我們可以製作截面大小不同的多節奈米柱。當我們把量子井長到側壁時，因不同節之截面不同造成應力釋放條件不同，導致各節之量子井發光波長不同，因此這種多節奈米柱可用以製作多波長或甚至是白光發光二極體。 With the nano-imprint lithography and the pulsed growth mode of metalorganic chemical vapor deposition, a regularly-patterned, c-axis nitride NR LED array of uniform geometry with m-plane core-shell InGaN/GaN QWs is formed. By varying the supply duration of group III source in the pulsed growth process, the NR cross section can be tapered for growing another section of NR of a different cross-sectional size. Based on this growth technique, a multiple-section GaN NR of changing cross-sectional size can be obtained. When InGaN/GaN QWs are deposited on the sidewalls of the NR, the indium contents and QW thicknesses are different in different sections of different cross-sectional sizes due to different strain relaxation conditions. In this situation, the emission wavelengths of the QWs from different sections are different, leading to the multiple-color emission of such an NR array. Such an emission behavior can be used for fabricating a phosphor-free white-light LED.

備註

本部(收文號1110015008)同意該校111年3月16日校研發字第1110018536號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址