電阻式記憶體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099131518

專利證號

I 430434

專利獲證名稱

電阻式記憶體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/03/11

技術說明

一種電阻式記憶體，係由第一電極(鋁、鈦、鎢等…)、介電質(如金屬氧化物、半導體氧化物等…)、氧離子侷限層(如含氮、氟或氯之介電質等…)及第二電極依序堆疊而成。氧離子侷限層的原理是利用其中的氮原子(或氟、氯…等之介電質)之孤電子對與氧形成配位共價鍵，吸附住氧離子，將氧離子有效侷限在反應界面附近。我們認為此氧離子侷限層可有效侷限氧離子的移動，將氧離子侷限在反應界面附近，避免氧離子過度逸散，藉此改善電阻式記憶體元件穩定度，並大幅提升其可靠度。此外，對於改善電阻切換層特性而言，利用本方法只需在反應界面上引入涵氧元素，氧離子侷限層的厚度只需五奈米，且製作上無相容性的問題，因此可有效降低電阻式非揮發性記憶體的生產成本。 This patent proposes a resistive memory device consists of a first electrode (such as aluminum, titanium and tungsten), a dielectric layer (such as metal oxide and semiconductor oxide), an oxygen ion confined layer (such as metal oxide and semiconductor oxide introducing nitrogen or fluoride) and a second electrode sequentially, where the theorem of oxygen ion confined layer is using the lone electron pair of nitrogen atoms to form the coordinate covalent bond with oxygen and confine the oxygen near the interface of resistive switching layer. We suggest the oxygen ion confined layer can confine the moving range of oxygen ion in the interface of resistive switching layer and enhance the resistive switching characteristics and reliability. Moreover, this method only requires introducing the oxygenic element to the interface of resistance switching layer. Besides, the thickness of oxygen ion confined layer just demands 5nm.

備註

本部(收文號：第1080067117號)同意該校108年10月8日中產營字第1081401079號函通報專利終止維護案。

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