可受表面電漿子強化之發光二極體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099108687

專利證號

I 433351

專利獲證名稱

可受表面電漿子強化之發光二極體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2014/04/01

技術說明

我們提出一種可引發表面電漿共振現象的奈米結構，並將其製作於發光二極體元件之中，藉以提昇其發光效率。 基於肌膚深度的考量，愈引發表面電漿共振耦合，金屬必須被安置於距離發光中心約40 奈米的範圍內。然而以磊晶方式成長的p型氮化鎵，需具有至少約140奈米的厚度限制，才可維持其元件特性。藉由此奈米結構設計，搭配次微米級微影技術、蝕刻製程、金屬薄膜製程，便可在不損害原有p型氮化鎵厚度的情況下，製作完成一個具有週期可調變性、具備奈米尺寸等級，且位於表面電漿子耦合消散場影響範圍內的週期性金屬陣列於發光二極體結構之中。 經由改變不同的結構週期，或是利用不同的金屬材料，可引發不同能量上的表面電漿子共振模態，因此於各種發光波長皆可被應用。 有別於金屬薄膜被覆的方法或是奈米柵狀結構的設計，搭配此奈米結構之元件將具有較大的正向出光面積。此外，如此特有的結構設計，也被預期能降低因反射造成的出光損失。並且由於此奈米結構乃製作於二極體磊晶程序之後，因此將不會損害原有的磊晶品質。 此技術可被應用於發光二極體產業之中，特色在於其可在不改變磊晶製程參數下，不損害原有的磊晶品質及p型氮化鎵厚度，並且可藉由調變週期來適用於各種可見光波長。

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

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