低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092114624

專利證號

I 206002

專利獲證名稱

低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/06/21

技術說明

本發明係一種低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法，其係利用具單一方向性之乾 式蝕刻在薄膜電晶體主動層側壁覆蓋一間距矽(poly-spacer)，該間距矽提供了一雷射側向再 結晶機制與可防止雷射再結晶後主動層微縮或剝落現象，可使通道內之矽晶粒變大但不需額 外光罩，如此同時提升元件特性、提高元件均勻度與節省製程成本，此技術在現今低溫多晶 矽薄膜電晶體(LTPS-TFTS)領域中將會是一項關鍵技術。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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