靜態隨機存取記憶體細胞元陣列、靜態隨機存取記憶體細胞元及其操作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106108014

專利證號

I 614750

專利獲證名稱

靜態隨機存取記憶體細胞元陣列、靜態隨機存取記憶體細胞元及其操作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2018/02/11

技術說明

本專利之10T次臨界電壓記憶體細胞元具備抗讀取干擾、抗半選擇干擾之特性，但毋須任何寫入輔助技術，可提高交錯位元式記憶體在低電壓環境下之良率並降低硬體成本。新型雙端10T，適合交錯位元儲存陣列之次臨界電壓靜態隨機存取記憶體細胞元。其雙足可控制式P-N-N 栓鎖器與預放電位元線，在不犧牲寫入能力之下，可同時具備抗讀取干擾以及抗半選擇干擾的能力。解決了過去交錯位元式靜態隨機存取記憶體為追求穩定性而犧牲寫入能力的問題，進而省去寫入輔助增壓電路所需之增壓電容所帶來的大量面積消耗。 A new differential 10T subthreshold SRAM cell for bit-interleaving array is proposed in this patent. The controllable double-footed P-N-N latch and the pre-discharged bitlines are capable of maintaining stabilities against read-disturbance and half-selection simultaneously without sacrificing the write-ability. Such is able to save drastic area overhead consumed by the pumping capacitor of voltage-boost write-assisted circuitry.

備註

本會(收文號1120061952)同意該校112年9月20日中正研發字第1120900742號函申請終止維護專利

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