過渡金屬硫族化合物薄膜的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110124981

專利證號

I 775516

專利獲證名稱

過渡金屬硫族化合物薄膜的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2022/08/21

技術說明

一種過渡金屬硫族化合物薄膜的製作方法，包含以下步驟：提供一薄膜成長設備，該薄膜成長設備包括一次爐管、一設置在該次爐管下游的電漿產生裝置，及一設置在該電漿產生裝置下游並與該次爐管連通的主爐管；將一基板與一含有過渡金屬的第一前驅物設置在該主爐管中，並將一含硫族元素的第二前驅物設置在該次爐管中。在具有一工作氣體的氛圍的該主爐管與該次爐管中，依序加熱該主爐管及該次爐管至該第一前驅物與該第二前驅物的工作溫度，並讓該電漿產生裝置於該主爐管中產生電漿，使該第一前驅物能經該電漿而離子化，從而使該第二前驅物與該第一前驅物共同沉積在該基板上，以在該基板上形成一過渡金屬硫族化合物薄膜。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址