6T STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY AND MEMORY THEREOF6T STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY AND MEMORY THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/159,031

專利證號

US 9,001,571 B1

專利獲證名稱

6T STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY AND MEMORY THEREOF6T STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY AND MEMORY THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/04/07

技術說明

靜態隨機存取記憶體(SRAM)是各式系統晶片(SoC)內部的必須單元。在近年來物聯網(IoT)以及可攜式電子(Wearable)產品中，晶片對於低功耗的要求也越來越多，低電壓操作對於降低功耗有著明顯的效果，但也造成了電路的不穩定，而這點在SRAM上又更為明顯。本作品採用一新式的6T SRAM架構，可以提升SRAM於低電壓下操作的穩定度，並可使SRAM的最低操作電壓下降，並不會造成操作速度的大幅下降 The object of the instant disclosure is to provide in an embodiment a 6T static random access memory cell

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址