共積體化互補式異質結構場效電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096124960

專利證號

I 339900

專利獲證名稱

共積體化互補式異質結構場效電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄師範大學

獲證日期

2011/04/01

技術說明

本發明揭示一種磷化銦鎵/砷化銦鎵(InGaP/InGaAs) n型及p型通道共積體化之互補式異質結構場效電晶體。特別是，因砷化銦鎵應變通道內形成有二維電子雲氣(2DEG)且其2DEG之載子可隨閘極偏壓調變，該n型通道電晶體之飽和電壓可實質地降低。實驗結果顯示，對於n型通道電晶體，其外質轉導值及飽和電流分別為109 mS/mm及32.5 mA/mm；而對於砷化銦鎵p型通道電晶體，其外質轉導值及飽和電流分別為11.5 mS/mm及-27 mA/mm。此外，於互補式邏輯反相器應用時，當電源電壓為2.0 V時，其雜訊邊界NMH 及NML 分別達1.317 及0.28 V。 The integration of InGaP/InGaAs complementary heterostructure field-effect transistors is disclosed by the present invention. Particularly, the saturation voltage of the n-channel device is substantially reduced because the two-dimensional electron gas (2DEG) is formed and modulated in the InGaAs strain channel with the gate bias. Experimentally, an extrinsic transconductance of 109 (11.5) mS/mm and a saturation current density of 32.5 (-27) mA/mm are obtained for the n-channel (p-channel) device. Furthermore, at a supply voltage of 2.0 V for complementary logic inverter application the noise margins NMH and NML values are up to 1.317 and 0.28 V, respectively.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

學術研究組

連絡電話

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