具場發射機制的奈米線圖罩及三極體式電子微影裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100125531

專利證號

I 439821

專利獲證名稱

具場發射機制的奈米線圖罩及三極體式電子微影裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2014/06/01

技術說明

此發明專利有一項是利用場發射放出的電子束來進行奈米微影，一次曝”電子”動作就可達成所有圖形(whole layout)的顯影，不 像傳統的電子微影以電子束寫圖形的方式完成。 目前業界所使用之微影方式均以光為曝光源，受限於光源波長以及透鏡大小，使得以光方式微影技術在奈米世代的線寬遭遇瓶頸。 電子束微影為目前業界呼聲最高之汰換光學微影方式，可以微影出10奈米以下線寬，唯傳統的電子微影以電子束一直線一直線的 寫，如欲完成一層圖樣微影且是12吋晶圓，所需耗費的時間將是非常的長，因此根本不可能用來量產晶片。

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

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