金氧半場效電晶體之結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091105253

專利證號

I 180682

專利獲證名稱

金氧半場效電晶體之結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2003/06/11

技術說明

本發明提供一種可降低源極蕭基位障(Schottky Barrier)載子注入阻抗(Carrier Injection Resistance)的金氧半場效電晶體(MOSFET)之結構及其方法。該結構至少包含一矽覆絕緣 (SOI)基板為該結構之基材，一金屬氧化物半導體(MOS)形成於該矽覆絕緣基板之上，以及一 金屬矽化物層(Metal-Silicide Layer)。其中該矽覆絕緣基板具有一基底(Substrate)，一絕 緣層(Insulation Layer)位於該基底之上，以及一矽晶層(Silicon Layer)位於該絕緣層之 上；藉由沉積一金屬層(Metal Layer)於該半導體上，利用金屬自行對準矽化物製程與該矽晶 層結合後形成該金屬矽化物層，再利用離子植入金屬矽化物或金屬層的製程(implant-to- Silicide or implant-to-meta1)形成源極與汲極高濃度區以降低源極蕭基位障(Schottky Barrier)載子注入阻抗(Carrier Injection Resistance)。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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