奈米級(nanoscale)YAG螢光粉體之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090131075

專利證號

I 179971

專利獲證名稱

奈米級(nanoscale)YAG螢光粉體之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2003/06/21

技術說明

將所需之陽離子金屬鹽類形成水溶液，並添加適當之鉗合劑(PAA)使之與釔、 鈰及鋁完全錯合，經由煆燒之後即可得到純相之YAG及YAG：Ce螢光粉體。且 經由XRD、BET、Size distribution、SEM、TEM及PL對所製成之螢光粉體做性 質檢測，可知其表面積達31.04g/m2，平均粒徑為42.5nm。而在PL檢測方面； 其激發光譜為387-554nm且最大之強度為468nm，可得到約480-660nm範圍且最 大發射光譜強度位於529nm之放射光。 Phase-pure YAG and YAG:CE phosphor particles are synthesized by the calculation of the precursor salt solutions. The precursor salt solutions are prepared by adding PAA to an aqueous solution of yttrium, cerium, and aluminium nitrates. The X-ray diffraction, SEM, BET, TEM were utilized in the characterization of phase purity and microstructure of phosphor nanoparticles. PL spectroscopy was utilized to characterized the optical properties. The minimum grain size was found to be 42.5 nm, whereas the corresponding specific surface area was determined to be 31.04 g/m2 for YAG phase. For PL, the excited spectrum is between 387 to 554 nm and the maximum intensity is 468nm；the emission spectrum is between 480 to 660 nm and the maximum intensity is 529 nm.

備註

本部(收文號1050039975)同意該校105年6月7日成大研總字第1054500403號函申請終止維護專利55件(成功)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

06-2360524

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