高亮度發光二極體及其製造方法(中)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

0091110942

專利證號

180706

專利獲證名稱

高亮度發光二極體及其製造方法(中)

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2003/10/24

技術說明

本發明係關於一種高亮度發光二極體(LED)及其製造方法。本發明之高亮度發光二極體包括一永久基板、一具有pn介面 之LED磊晶層、一形成於永久基板與LED磊晶層間之層狀結構、第一電極及第二電極。其中層狀結構係可由單層、雙層或 三層之具有特殊功能之結構層組合；而在三層之結構架構中可分別設有一鏡面反射層、一擴散阻隔層及一應力緩衝層， 各層並可具導電特性，且此些結構可為一層或多層薄膜組合而成。據此，本發明之發光二極體具有高發光效率及於製程 中強化機械強度等優點。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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