分離式石墨烯奈米碟電荷儲存層的製造方法與應用之記憶體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101129526

專利證號

I 499555

專利獲證名稱

分離式石墨烯奈米碟電荷儲存層的製造方法與應用之記憶體元件

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2015/09/11

技術說明

近年來，由於電子行動裝置的流行，將邏輯電路與周邊記憶體電路整合在一晶片上成為重要課題。因此，記憶體元件的發展越來越備受重視。隨著元件的微縮，傳統浮動閘極記憶體元件受到了長時間電荷儲存及電容耦合效應的挑戰。許多新型記憶體元件如氮化矽電荷儲存元件、分離式奈米晶體電荷儲存元件的研究已經問世。其中，奈米晶體記憶體元件可提供長時間電荷儲存，同時達到低電壓操作的特性，因此被視為未來指標性元件之一。奈米晶體記憶體元件是利用分離式的奈米晶體材料當作電荷儲存點，來達到抑制橫向漏電流的目的。此記憶體元件可整合最新型的材料如石墨烯來當作電荷儲存層。石墨烯具有高功函數、高電子遷移率及高熱穩定的特性，被視為未來的電晶體發展的重要材料之一。本發明提供應用於一記憶體元件中之一電荷儲存膜，且前述記憶體元件包含一基板。其中電荷儲存膜至少包含一穿隧氧化層、一電荷儲存層與一阻障氧化層。穿隧氧化層設置於基板上。電荷儲存層包含複數個石墨烯奈米碟，且該些石墨烯奈米碟間隔設置於穿隧氧化層上。阻障氧化層則用以覆蓋電荷儲存層。本發明同時亦揭露上述電荷儲存膜之製造方法及其應用記憶體元件的結構。 With the memory devices scaling down, the conventional floating gate memories encounter a serious bottleneck in the reduction of tunneling dielectrics. To solve the issue, the discrete-nanocrystal memories have been attractive. For the discrete-nanocrystal memory, the isolated storage nodes can prevent the lateral charge leakage. In this invention, the material of the discrete-nanorcystal is the graphene nanodisk. The graphene has some advantages such as high work-function, high charge mobility, and high thermal stability. This invention discloses a charge storing film applied for a memory, and the memory comprises a substrate. The charge storing film comprises a tunneling oxide layer, a charge storing layer and a blocking oxide layer. The tunneling oxide layer is disposed on the substrate. The charge storing layer comprises a plurality of graphene nanodisks on the tunneling oxide layer. The blocking oxide layer is then formed on the charge storing layer.

備註

本部(收文號1090034893)同意該校109年6月10日長庚大字第1090060116號函申請終止維護專利(長庚大)

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