金屬導線結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099144242

專利證號

I 460822

專利獲證名稱

金屬導線結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/11/11

技術說明

一種金屬導線結構及其製造方法，其著重在提供一個整體之解決方法，係從現有技術中可行、低成本及可快速製程之填入技術-電鍍為出發點，尋找適當之電鍍晶種層來製備銀導線。首先，選用半導體製程相容性高之金屬，透過乾式或濕式製程，控制微結構變化與表面結構及其化性，同時可當成電鍍晶種層與擴散阻障層使用，並為等向均勻，不僅可減少擴散阻障層之製作流程與成本，亦可提高元件製作速度，更相對可使電鍍液流入空間變寬，進而大幅減少後續電鍍之困難性；再者，本發明可從製程條件精準控制改質層之厚度，即上有改質層下有此晶種層兼擴散層之組合，相對可靠度高，與現有製程技術相容；最後，本發明更可結合常見之擴散阻障層材料，組成複合結構，單層與雙層結構，進而能達到提高熱穩定性與可靠度。 Structure of a metal line means to provide a total solution in plating seed layer suyvey for silver line preparation based on the processable , low-cost and high throughput gap-filling method, electroplating process. A CMOS compatable metallic film was selected as targeted layer and by way of the surface condition tuning and the microstructure modification, the single layer was used as plating seed layer and barrier layer. The purpose not only lowers the process steps and cost but enlarges the process window of following large amount silver electroplating to minimize the void formation within the metal line. The layer could be used alone or be combines with the commercial barrier for variant stacking scheme application. The theamal stability and reliability will be effectively enhanced.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

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