HIGH-VOLTAGE GENERATOR WITH MULTI-STAGE SELECTION IN LOW-VOLTAGE TRANSISTOR PROCESS

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/912,585

專利證號

US 10,236,770 B1

專利獲證名稱

HIGH-VOLTAGE GENERATOR WITH MULTI-STAGE SELECTION IN LOW-VOLTAGE TRANSISTOR PROCESS

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2019/03/19

技術說明

電荷幫浦級數控制器透過選擇適當的電荷幫浦級數來輸出所需求的電壓，不僅輸出電壓範圍可向低壓擴大，能夠維持較高的能源轉換效率，並且不需花費額外電荷幫浦面積，實施此技術傳統習知之方法是在每一級電荷幫浦輸出端加入旁路電晶體，在所需電壓低時選擇將部分級數電荷幫浦繞過，將輸入電壓由旁路電晶體傳輸至該級輸出端。但此旁路電晶體在操作過程中會遇到閘極氧化層過壓問題，使用高壓製程會降低與其他SoC (System on Chip)電路模組的製程整合度。本專利案提出一個完全創新的電路設計辦法來避免旁路電晶體在操作過程中遇到的閘極氧化層過壓問題，本申請案係透過特殊設計的耐高壓開關(HV-SPDT)，配合適當的時序控制，結合電荷幫浦每一級幫浦一倍電晶體安全電壓(VDD)之特點，有效地使所有電晶體都操作於安全電壓下，即使使用低壓製程也能夠實現電荷幫浦級數控制的功能，提升在植入式生醫晶片的製程整合度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址