具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094133250

專利證號

I 260716

專利獲證名稱

具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/08/21

技術說明

在元件製作近一步縮小化的過程中，有人們利用SiGe製作元MOS元件的源汲極區域，因為SiGe可以達到高濃度B摻雜以 及SiGe具有較低的能帶間隙(bandgap)，因此可以使MOS元建源汲極具有較低的接觸電阻。但是，在一系列高溫製程之 後，如何降低摻雜原子(如B)從源汲極區域的外擴散(out-diffusion)行為，將具有十分重要意義。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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