用於製造氮化鎵基半導體垂直結構元件的雷射剝離方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095104392

專利證號

I 287309

專利獲證名稱

用於製造氮化鎵基半導體垂直結構元件的雷射剝離方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2007/09/21

技術說明

於藍光發光二極體(light emitting diode, LED)製作上，藍寶石 (氧化鋁)基板為目前氮化鎵磊晶薄膜成長最常使用之基板，然藍寶 石基板之導電性及導熱性不良，限制傳統藍光發光二極體僅能採用 正負電極同在基板一側之橫向結構，此除將減少元件可發光面積 外，更因電流推擠效應使元件導通電阻及順向壓降增加，大大限制 將來照明市場所需高功率藍光發光二極體之發展。

備註

本部(收文號1030032705)同意該校103年5月7日1034500281號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

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