具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法LIGHT EMITTING DEVICE HAVING AUTO-CLONING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/150,571

專利證號

US 8,486,738 B2

專利獲證名稱

具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法LIGHT EMITTING DEVICE HAVING AUTO-CLONING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/07/16

技術說明

本發明之具有自我複製式光子晶體之發光元件至少包含一基板、一第一半導體層、一發光層、一第二半導體層以及一自我複製式光子晶體之鋸齒狀多層膜，該鋸齒狀多層膜係一高反射之光學層並且提供一繞射機制使反射的光可以進入全反射角之內，且該鋸齒狀多層膜連續分佈於第一或第二半導體層上，因此發光層產生的光不需穿透基板即可由鋸齒狀多層膜反射及繞射，提升發光元件的光取出效率。本發明亦提供具有自我複製式光子晶體之發光元件之製造方法。 A light emitting device with autocloning photonic crystals comprises a corrugation multilayer with autocloning photonic crystals. The corrugation multilayer provides an interface with high reflectivity and a diffraction configuration for increasing possibilities that the light reaches an emission surface of the light emitting device within the critical angle of total internal reflection thereby improving the light extraction efficiency. The manufacturing methods of the light emitting device are with autocloning photonic crystals also presented.

備註

本會(收文號1110060946)同意該校111年9月29日清智財字第1119007219號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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