氣盾式大氣壓下化學游離裝置以及應用該游離裝置之質譜分析系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100148005

專利證號

I 442438

專利獲證名稱

氣盾式大氣壓下化學游離裝置以及應用該游離裝置之質譜分析系統

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2014/06/21

技術說明

本介面乃架構在一商業化ESCi混和離子化源介面之上。在本介面中，我們在放電針端外部加上一具有開口之套件(氣罩)包圍住放電針端，並在其內部自後方通入氮氣(或氦氣)作為放電氣體，將適當之直流高電壓導入放電針端即可引發電暈放電。 通入之氮氣經電暈放電後形成電漿氣體隨氣流經出口噴出氣罩外，再與液相層析沖出液之霧化氣體碰撞產生交互作用，造成離子化反應。此種設計可避免電暈放電受到外部環境(液相層析沖出液或樣品基質)之影響，造成離子化反應效率變異甚至下降的結果。此外，此介面亦可對各類氣味分子進行直接分析，使其在香味、食品、甚至醫學診斷等領域均可能有極大之應用潛力。 In order to further improve the performance of the ion source, a gas-shield atmospheric pressure chemical ionization (GS-AP) interface was developed. The GS-AP was constructed in the commercial ESCi interface where a gas shield was made and put around the corona tip to isolate the corona from the LC effluents. The GS-AP uses the ESI probe for the solvent evaperization. The LC effluents are interact with the plasma gas but not directly with the corona. Base on the testing results, the GS-AP can exhibit obviously better sensitivity and stability than the commercial ESCi interface.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

網址