鎳鈷硫化物合成方法及其電極

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106109639

專利證號

I 631080

專利獲證名稱

鎳鈷硫化物合成方法及其電極

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2018/08/01

技術說明

此技術應用於儲能元件為首次發明之方法，並無其他研究學者於先前使用過。 此技術為使用簡易固態合成法製備高效能二維二硫化鎢與還原氧化石墨烯複合物。藉由添加鎢與硫的前驅鹽以及還原氧化石墨烯於研缽中，簡易的混合研磨後，即可經由鍛燒過程製備高效能的二維二硫化鎢與還原氧化石墨烯複合物。 此複合物亦被成功應用於超級電容器電極，而使用此技術製備之超級電容器電極儲能材料，可達成之電容值為目前相同系統(使用二維材料當作超級電容器電極儲能材料)之最高。 此技術價值甚高。 This novel technique is firstly used in the energy storage devices. There is no other researchers applying the similar technique in this filed. This technique is a simple solid-state synthesis method. A highly efficient two-dimensional tungsten sulfide and reduced graphene oxide composite can be synthesized by using this simple solid-state synthesis method via mixing the tungsten and sulfur precursors along with the reduced graphene oxide. After annealing, the tungsten sulfide and reduced graphene oxide composite can be therefore obtained. This material is also applied on the supercapacitor electrode. By using the material synthesized via this technique, the specific capacitance of the resulting supercapacitor electrode can achieve the highest among those for the supercapacitor electrodes using two-dimensional material as the charge accumulation material.

備註

本會(收文號1110059790)同意該校111年9月21日北科大產學字第1117900275A號函申請終止維護專利(國立臺北科技大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

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