平面式光檢測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093126997

專利證號

I 239656

專利獲證名稱

平面式光檢測器

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2005/09/11

技術說明

本發明係關於一種平面式光檢測器之結構，其主要係在一基板上沉積出N型層、中性層及P型層 所構成，該第一N型層係N型半導體(N-type Semiconductor)材料，該中性層係本徵半導體 (Intrinsic Semiconductor)材料，該P型半導體(P-type Semiconductor)材料，並包括：一第 二N型層，係自該P型層之頂端面向下延伸，穿過該中性層，至第一N型層中，所形成之N+型半 導體(N+-type Semiconductor)材料；一第一電極層，係形成於該P型層在頂端面上，並由導電 之金屬材料所構成，用以作為P型歐姆接觸電極；以及一第二電極層，係配合第二N型層，於該 第二N型層在頂端面上的金屬導電層，用以作為N型歐姆接觸電極。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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