發明
中華民國
103141178
I 495841
高解析度反射式三維光電顯微鏡
國立虎尾科技大學
2015/08/11
本專利乃發展出一種光學式非破壞性、非接觸性、非掃描方式、非干涉法之快速高精度顯微量測技術,系統原理與架構簡單,類似拍照手法,可快速取得三維影像資訊,可節省成本及時間又有高精度且三維量測之優點,利用幾何光學光軌跡成像技術與稜鏡反射率對角度變化來求出反射率對表面高度之轉換,藉由CCD影像擷取技術,取出全反射與近臨界角之兩張圖像,求取反射率圖像資訊,以電腦軟體計算與繪圖,呈現3D立體圖像。使用者可輕易在任何一個量測位置上獲得該位置的3D資訊。此光學橫向解析度受限於繞射極限的影響,可高於0.5微米,但其縱向解析度可高於1奈米,量測光學倍率可高於1250倍。適合量測反射式或穿透式光學表面輪廓。對高精細樣品量測有很好的應用。 A non-scanning noninterferometric three-dimensional (3-D) electro-optics microscope based on geometrical optics, critical angle principle and the use of a CCD camera is presented. The surface profile of the test specimen can be transferred into the reflectance profile. The reflectance profile, obtained from a CCD, is the intensity ratio from at the critical angle to at the total internal reflection (TIR) angle. It provides a sub-micron measuring range with several-nanometer resolution for measuring the transmission- or reflection-type optical surfaces. The magnification can be larger than 1250 times. The 3-D microscope can also measure the roughness or surface defects in real-time.
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