倒置型薄膜電晶體製造方法及其製品

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097126634

專利證號

I 442573

專利獲證名稱

倒置型薄膜電晶體製造方法及其製品

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/06/21

技術說明

本專利所製作的薄膜電晶體，利用低功函數之金屬導電材料(鎂、鋰)取代汲極/源極的n+摻雜層(歐姆接觸層)。由於金屬與半導體具有高蝕刻選擇比，因此可以精確控制主動層的厚度，降低半導體層寄生電阻，降低光漏電流，並改善蝕刻的均勻度，提高製程窗口。此外，低功函數之金屬可與主動層形成良好的自我對準歐姆接觸層，具有較低的接觸電阻，可提昇元件之載子遷移率，明顯地增加薄膜電晶體的導通特性。利用此方法可成功的將低電阻金屬引入製程中，不但可降低導線寄生電阻，達成畫面快速切換及解決蝕刻均勻度不佳等問題，而且此製程方法簡單、成本低，可達到製作高品質大型顯示器面板的需求。

備註

本部(收文號：第1080067117號)同意該校108年10月8日中產營字第1081401079號函通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址