雪花型石墨烯及其製備方法GRAPHENE AND ITS GROWTH

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/753,707

專利證號

US 8,865,105 B2

專利獲證名稱

雪花型石墨烯及其製備方法GRAPHENE AND ITS GROWTH

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2014/10/21

技術說明

本發明係有關於一種藉由化學氣相沉積法，於金屬基材上製備單晶體、單原子層石墨烯核種(nuclei)，由其成長形成具大長寬比分支之單晶體單原子層雪花型之石墨烯薄片及其製備方法，經由調控反應時氫氣與碳源氣體的通入量，可將雪花型石墨烯薄片之分支進一步的合併形成連續態之單晶體單原子層石墨烯薄膜，更進一步亦可由多數個雪花型石墨烯薄片合併而成一大面積之單原子層石墨烯薄膜。 Snowflake-like Graphene Growth and Morphology The present invention provides monolayer single-crystalline graphene nuclei and grows from them two-dimensional monolayer single-crystalline snowflake-like graphene flakes on catalytic metal substrate using thermal chemical vapor deposition and a method synthesizing the same. By controlling the supply rates of hydrogen and additional carbon source, it results in graphene branches being merged to synthesize a two-dimensional monolayer single-crystal continuous graphene film and further allows multiple snowflake-like graphene flakes to merge branches and form a large-area continuous mono-layer grapheme film.

備註

本部(收文號1100027013)同意該校110年5月12日成大產創字第1101101269號號函申請終止維護專利(成大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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