薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093139966

專利證號

I 270987

專利獲證名稱

薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2007/01/11

技術說明

薄膜電晶體及其製造方法

備註

本部(收文號1061000804)同意該校106年10月20日中產營字第1061401097號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址