單端無載式靜態隨機存取記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106119379

專利證號

I 630611

專利獲證名稱

單端無載式靜態隨機存取記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2018/07/21

技術說明

本設計提出之單端讀寫無負載式6T靜態隨機存取記憶體如圖一所示，由一組背對背超高臨界電壓PMOS 電晶體M301 與M302 加強資料鎖存能力與降低漏電流，以兩個超低臨界電壓NMOS 電晶體M303 與M304，提高讀取與寫入資料的驅動電流，並組成寫入輔助迴圈(Write-assist loop) 形成單端操作的記憶體單元，利用WA (Write Access) 與WAB (Write Access Bar) 訊號控制記憶體單元寫入資料0 或資料1，以一個超低臨界電壓NMOS 電晶體M305 作為字元線控制(Word-line Controlled, WLC) 電晶體，並加入一低臨界電壓PMOS電晶體M306，提供記憶體單元內獨立的漏電流路徑，避免因為預放電路徑長時間的關閉，而導致漏電流在待機狀態時破壞記憶體單元資料。 The design of singled-ended 6T Load-less SRAM are composed of two back to back ultra-high Vth PMOS M301 and M302 to increase data-latch ability and decrease leakage current, two ultra-low Vth NMOS M303 and M304 to increase drive current and build up a write-assist loop, ultra-low Vth NMOS M305 as word-line controlled(WLC), low Vth PMOS M306 to provide a leakage current path of SRAM cell.The signal of WA and WAB are used to control SRAM cell write/read data.

備註

本部(收文號1100028412)同意該校110年5月19日中產營字第1101400528號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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