石墨烯－碳化矽－石墨烯奈米薄片裝置及其形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100129793

專利證號

I 441736

專利獲證名稱

石墨烯－碳化矽－石墨烯奈米薄片裝置及其形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

中央研究院

獲證日期

2014/06/21

技術說明

Strained Graphene-SiC-Graphene Nanohybrids and their applications

備註

本部(收文號1100010775)同意該院110年2月22日智財字第1100501424號函申請終止維護專利(中央研究院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉處

連絡電話

02-2787-2508

網址