利用在此同一波長光源臨場監測感光或含碳氫成分之薄膜材料抗極紫外光輻射性的量測方法及裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099139225

專利證號

I 440842

專利獲證名稱

利用在此同一波長光源臨場監測感光或含碳氫成分之薄膜材料抗極紫外光輻射性的量測方法及裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄大學

獲證日期

2014/06/11

技術說明

一種利用在此同一波長光源臨場監測感光或含碳氫成分之薄膜材料抗極紫外光(EUV)輻射性的量測方法及裝置，其是在一具EUV光源之真空腔室系統中額外加裝一組三維座標移動機構，如此只要在同一道真空作業流程中使用同一薄膜材料樣品的不同表面區域，就能形成數個並排的曝光區域，以達到在此EUV光源波長照射之條件下進行臨場監測，並導出同一薄膜材料樣品之數個曝光區域在初始、一般或過曝下之曝光量等條件下的數組光學參數值(n、k、T)，以便相對快速且精確的完成薄膜材料樣品之抗EUV輻射性之評估。 A detection method for in situ monitoring resistance of photosensitive or hydrocarbon-containing thin-film materials upon extreme ultraviolet (EUV) irradiation using actinic EUV light source and a detection device therefor are provided. The detection device is provided with a vacuum chamber system having a EUV light source and additionally installed with a three-dimensional coordinate motion mechanism. As a result, a plurality of optical parameter values (n, k, T) of the exposed zones of the single thin film sample under initial, normal or over-exposed condition can be obtained according to the foregoing detection method and device, so as to speedily and precisely finish estimating the resistance of thin-film materials upon EUV irradiation.

備註

本部(發文號1110013672)同意貴校111年3月9日高大研發字第1111400060號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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