三維晶片之差動感測及電荷共享架構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101105639

專利證號

I 498917

專利獲證名稱

三維晶片之差動感測及電荷共享架構

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/09/01

技術說明

三維晶片之差動感測及電荷共享架構中文發明摘要：一種三維晶片之差動感測及電荷共享架構，一種三維晶片之差動感測及電荷共享架構，包括：一複數個矽晶穿孔，一複數個矽晶穿孔，包含第一矽晶穿孔與第二矽晶穿孔。一追蹤電路，耦接第一矽晶穿孔，耦接第一矽晶穿孔。一感測電路，耦接第二矽晶穿孔以及追蹤電路。一複數個平衡電路，其中每一複數個平衡電路配置於複數個矽晶穿孔之任一相鄰二矽晶穿孔之間並與其電性連接。一箝位電路，耦接第一矽晶穿孔。 The present invention discloses a 3D-IC differential sensing and charge sharing scheme which includes a plurality of TSVs including a first TSV and a second TSV. A tracking circuit is coupled to the first TSV. A sensing circuit is coupled to the second TSV and the tracking circuit. A plurality of equaling circuits are provided and wherein each of equaling circuit is configured and electrically connected between adjacent two equaling circuits. A clamping circuit is coupled to the first TSV.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址